- HOME ＞
- セールス委託事業
PicMan
コンピュータに取り込んだ写真から寸法・角度・面積・色調・温度等を計測・DATA化が簡単にできます！
簡単！ 早い！ 高効率！半導体・バイオ・土木測量・ＭＥＭＳ・多種用途
市販ソフトや無償ソフトを駆使して使う時間は、馬鹿になりません。またDATA化した画像Fileや数値をまとめたり、プレゼンテーション資料に貼り付ける時間は、案外浪費するものです。PicManは、そんな問題を簡単に解決します。
ソフトのトータルサイズは、8M以下。(Windows対応のみ)
●個人のパソコン内でさくさく動きます。
●計測スピードが、どんなイメージソフトより速い。
●ソフト変更によるバグの発生確率は、ゼロ。
DATA化したいイメージ画像や目的がわかれば、お客様のご要望に合わせて使いやすいカスタムメイド版としてご提供します。
イメージが有れば、様々な分野での有効利用が可能です。下の青いボタンをクリックしてください。色々な測定例がご覧いただけます。また、ソフトの詳細カタログは、カタログボタンをクリック下さい。
SRTF-302LP / SRTF-200LP 枚葉式 高速アニール炉システム
結晶スリップは、ゼロ！
すばらしい均一性と再現性！
処理能力は、ランプ式高速加熱と同等
電気使用量は、家庭のヘヤードライヤー程度！
低いメンテナンスコスト！（１回・年）
消耗品ゼロ！
SAO-200LP
Design Concept:
The SAO-200LP system is designed based on a resistively heated, stacked hot plate technology to address ambient controlled, low temperature annealing applications up to 550°C. The system
processes five wafers simultaneously and provides excellent process repeatability and stability at a minimum cost of ownership.
Key Benefits & Specifications:
Simple and Robust Design
Vacuum Compatible & Ambient Control
- low residual O2 (<5ppm)
- H2 or forming gas compatible
Operating Temperature Range:
- 100~550°C
Excellent Process Uniformity : <1% (1σ)
Excellent Process Repeatability: <3°C (range)
Competitive Throughput: 25wph (5 min process)
Fast Installation: 0.5 day
Process Qualification: 1 day
Minimal Maintenance: every 6 to 12 months
No Consumables
Minimal Facility Requirement
- electricity, 2 process gases, cooling water
Small Footprint: see right column
Energy Efficient: <5kW steady state, 10kW max.
Applications:
Cu Annealing
Al Sintering
H2 Annealing
SOD Annealing
Low-k Dielectrics Annealing
Polyimide Bake
SiLK Annealing
NiSi Formation and Anneal
S
MRS-300 ・ OSP-300 ・ MPL-300
Multi-wavelength Raman Spectroscopy allows depth profiling of lattice stress characteristics, dopant activation, implant species concentration, and other process parameters with great measurement stability. This technology is being applied to new challenges in Si stress characterization in advanced devices and TSV structures. Ge content uniformity and SiGe layer thickness monitoring of SiGe/Si has become an exciting application in the last few years.
